关于闪存的最新新闻 | 8610NEWS

关于闪存的最新新闻

/

/

2023.07.26 8:36

SK海力士二季度业绩环比改善计划闪存进一步减产

SK海力士判断，存储行业减产效应有望在下半年有更明显的显现，供需关系将在2024年趋紧

/

/

2022.11.08 17:42

三星电子量产世界最高容量的“1Tb第8代V-NAND闪存”

韩国三星闪存

三星电子7日表示，将批量生产NAND闪存世界最高容量的“1 terabit（Tb•太字节）第8代V-NAND闪存 ”（照片）。此前的10月，三星在美国硅谷举行的“三星技术日”上公布了年内批量生产第8代V-NAND闪存的计划，时隔约一个月就取得了重大进展。 …

/

/

2022.10.18 20:14

苹果暂缓采购长江存储NAND闪存的计划

据日经亚洲与多位相关人士采访，苹果一直计划在iPhone上采用长江存储科技生产的“NAND型闪存”，但由于地缘政治风险加大和受到美国当局批判，苹果改变了方针。苹果和长江存储科技对此均未发表评论……

/

/

2022.10.17 8:46

光威首发长江存储128层闪存SSD：2TB要价1769元

10月17日，光威(Gloway)宣布推出新款PCIe 4.0 SSD Ultimate系列，首次采用长江存储128层堆叠3D TLC NAND闪存芯片。新品是标准的M.2 2280形态，基于长江存储第三代闪存X2-9060，Xtacking 2.0技术架构，性能强劲，品质可靠，素质过硬，具备更高的IO传输速度。更高的密度，在各项测试中表现卓越，大容量1TB、2TB。

/

/

2022.10.05 2:57

十铨科技推出C222 USB 3.2闪存盘采用流线型人体工程学设计

设计 USB 闪存科技

内存品牌Team Group（十铨科技）推出了新的C222 USB 3.2闪存盘，融合了金属工艺和流线型的人体工程学设计，哑光的灰色金属表面与柔和的流线型人体工程学曲线相结合，使闪存盘能够完美地贴合手指，手感相当良好。

/

/

2022.08.25 4:14

消息称NAND闪存价格下半年将进一步下滑供应商清库存压力持续上升

据国外媒体报道，本月初曾有报道称，存储芯片价格在加速下跌，三季度预计会下跌超过5%，存储芯片厂商的业绩将不会乐观。最新的报道也显示，产业链的消息称NAND闪存的价格，在下半年将继续下跌，供应商面临的清库存压力在持续上升。

/

/

2022.08.09 20:20

专家称SSD硬盘不够绿：多用MLC、SLC闪存才行

相比HDD机械硬盘，SSD硬盘在性能及体验上是颠覆式的领先，这点没人质疑，但是考虑绿色环保问题呢？专家们最新研究显示SSD的二氧化碳排放量比机械硬盘几乎翻倍，不够绿色，多用MLC、SLC闪存能改善一些。

/

/

2022.08.03 22:01

SK海力士开发出最尖端NAND型闪存

SK开发出238层NAND闪存，单位面积的数据容量提高34％，传输速度提高50%……

/

/

2022.08.04 18:44

SK海力士成功开发出世界最高层238层NAND闪存芯片

韩国芯片闪存

SK海力士成功开发出了目前NAND闪存半导体中最高层数的238层（堆栈）NAND闪存（照片）。现有的最高层NAND是美国美光公司的232层产品。 2日（当地时间），SK海力士在美国圣克拉拉开幕的世界最大的NAND闪存会议“Flash Memory Su…

/

/

2022.08.03 10:29

232层堆叠？长江存储第四代3D闪存揭秘

8月2日，国产闪存制造商长江存储在2022年闪存峰会（FMS）上宣布，正式推出了基于晶栈?3.0（Xtacking?3.0）技术的第四代TLC三维闪存X3-9070。消息显示，该3D NAND闪存堆叠层数或已达到了业界领先的232层。

/

/

2022.08.03 2:34

三星在2022闪存峰会上公布了影响深远的下一代存储解决方案

在加州圣克拉拉举办的 2022 闪存会峰会期间，三星电子隆重介绍了下一代内存和一系列存储技术。在《引领大数据时代内存创新》的主题演讲上，该公司强调了大数据市场在四个领域的技术进步 —— 分别是数据的移动、存储、处理和管理，以及针对各个领域的业内领先解决方案。

/

/

2022.08.02 19:08

SK海力士成功开发出238层4D NAND闪存明年上半年量产

韩国SK海力士（SK Hynix）已经开发出238层NAND闪存芯片，它可以用于PC存储设备、智能手机和服务器。上周美光也开始出货232层NAND闪存芯片。SK海力士宣称新的238层芯片是最小的NAND闪存芯片，数据传输速度相比上代产品提升50%，读取数据消耗的能量降低21%。

/

/

2022.08.02 3:59

铠侠将演示基于PCIe NVMe闪存的SEF软件定义存储解决方案

为支持 Linux 基金会的 Software-Enabled Flash 开源项目，铠侠美国公司今日宣布了基于 PCIe 和 NVMe 技术的创新软件定义技术和演示硬件。TechPowerUp 指出，这项技术能够将闪存存储与传统机械硬盘（HDD）协议完全分离，以便充分发挥闪存这一存储介质的性能潜力。

/

/

2022.07.26 10:09

美光全球首发232层TLC闪存：性能翻倍、密度最高

2021年全球首发176层堆栈的3D闪存之后，美光今天有全球首发了232层堆栈的TLC闪存，这是全然首个超过200层的闪存，也是业界密度最高的，接口速度提升到2.4GB/s，写入速度提升100%。

/

/

2022.07.16 3:08

发明闪存能赚多少钱？这是一个来自日本的狗血故事

日本闪存故事

说起闪存，想来你并不陌生。从手机到笔记本电脑，基本上是个能存上几 MB 数据的电子设备，都少不了这玩意儿。但你或许想不到的是，它的发明人在其问世之后，仅拿到了几百美元的奖金。不久之后还被排挤到不得不从公司辞职，遁走学术界。

/

/

2022.07.08 4:16

厚度只有1.0毫米江波龙发布旗舰级UFS 3.1闪存

高端手机存储已经基本普及UFS 3.1，而在这个标准诞生两年之后，本土厂商江波龙成功打造了自己的FORESEE UFS 3.1，目前已经进入样品测试验证阶段。据介绍，江波龙FORESEE UFS 3.1作为新一代旗舰级存储产品，性能、传输延迟都得到了显著优化。

/

/

2022.05.03 15:07

三星首次推出全新UFS 4.0闪存读速达到4200MB/s或UFS 3.1的两倍

三星今天公布了最新的移动存储解决方案标准 - 通用闪存（UFS）4.0。新的UFS 4.0规范承诺将移动闪存媒体存储的性能提高一个档次，将读取速度提高到4200MB/s，或基本上是目前可用的UFS 3.1标准的两倍。同时，写入速度从1200MB/s提高到2800MB/s，三星说它的实际表现会是上一代的1.6倍。

/

/

2022.05.01 10:35

国科微发布E21C-Y硬盘：国产自研主控长江存储128层TLC闪存

日前国科微发布了E21C-Y系列SSD硬盘，这是一款主打低成本的硬盘，支持SATA 3.2，配备了国科微自研的SSD主控芯片及长江存储的128层TLC闪存。据官方介绍，国科微E21C-Y系列固态硬盘搭载国科微自研主控芯片GK2302V200，此款主控采用国产嵌入式CPU IP核，彰显“中国设计”理念。

/

/

2022.04.21 4:44

无需散热马甲联芸PCIe 3.0 SSD主控支持七大原厂TLC/QLC闪存

随着Intel将NAND闪存业务卖给SK海力士，以及国内的闪存厂商长江存储YMTC的崛起，全球闪存市场格局已经生变，现在是七大原厂了，联芸科技日前宣布旗下的第二代PCIe 3.0主控MAP1202已经支持七大厂商的TLC及QLC闪存。

/

/

2022.04.04 20:03

SK海力士收购Intel闪存后首次推出PCIe 4.0 SSD：128层4D闪存自研主控

Intel 收购闪存

2020年SK海力士宣布斥资90亿美元收购了Intel的闪存业务，去年底该交易正式完成第一阶段收购，成立了Solidigm公司，后者现在推出了新一代企业级SSD产品P5530，这是收购之后双方合作的第一款PCIe 4.0硬盘，使用了两家的技术。

/

/

2022.03.30 6:21

铠侠发布Automotive UFS Ver 3.1嵌入式闪存为车载应用大提速

作为全球存储解决方案的领导者之一，铠侠（Kioxia）刚刚宣布了向车载平台合作伙伴，提供旗下最新一代“Automotive UFS”闪存样品。该系列存储器件符合 UFS 3.1 标准，基于该公司的 BiCS FLASH 3D NAND 打造，容量从 64~512GB 不等。旨在满足不断发展的汽车应用的各种要求，以提升驾驶体验。

/

/

2022.03.26 2:05

闪存的新一轮争霸赛

2021年，在居家办公、线上教学的普及之下，NAND整体需求大增，价格也是持续攀升。而到了2022年，与大家所预想中的降价局面相反，工厂原料污染、地震、设备供应限制等一系列意外反而让NAND闪存迎来了新一轮的上涨。2022年，闪存新的开局似乎并不平坦，但显然并不妨碍其成为“资本宠儿”。

/

/

2022.03.23 3:24

铠侠拟与西数合建新闪存工厂，投资或达1万亿日元

投资闪存工厂

日本芯片巨头铠侠（原东芝存储器）周三表示，计划于西部数据公司合作，在其位于日本北部的工厂共同建设一个新的闪存生产设施。铠侠在一份声明中表示，位于岩手县北上核电站的新抗震设施的建设计划于2022年4月开始，预计将于2023年完工。

/

/

2022.03.18 6:00

不只是瑞萨电子铠侠日本3D NAND闪存工厂部分生产线也已因地震停产

日本地震闪存工厂生产

受日本本州东岸近海3月16日7.4级地震影响，多家日本的工厂已经停产，其中就包括了全球重要的汽车半导体供应商瑞萨电子的3座工厂。而从外媒最新的报道来看，受地震影响停产的芯片厂商，不只是瑞萨电子，还有闪存芯片供应商铠侠的部分生产线。

/

/

2022.03.04 4:05

大号U盘！QLC闪存硬盘真实性能被扒：最低60MB/s

在当前的SSD硬盘中，TLC、QLC闪存的占比越来越多，QLC在一些低端型号中尤其受欢迎，然而大家对它的性能及可靠性一直不放心，现在Intel的660p QLC硬盘的原始性能被公开，缓存外只有60MB/s，也就是U盘的水平。

/

/

2022.03.03 2:18

消息称华为将开展NAND闪存封装测试：最快下半年完成

据韩国媒体TheLce报道，华为正在寻求一个计划，试图自行处理NAND闪存的封装过程，最终实现半导体供应链自主化。据悉，华为计划采购NAND闪存晶圆，以便后续计划实施，目前已为此筹建相关设施，预计今年下半年建立全面的量产体系。

/

/

2022.03.02 18:15

西数、铠侠被污染的闪存工厂恢复运营 SSD价格仍有可能上涨

污染闪存工厂

据日经新闻报道，位于日本的铠侠、西数合资的闪存工厂已经在周三恢复运营，此前该工厂因为材料污染事件而停止生产。今年1月份下旬，这家闪存工厂因为材料污染而暂停了3D闪存生产，铠侠为此调查了污染原因并制定解决方案。

/

/

2022.03.02 2:53

美光展示7450系列数据中心SSD：外形多样 176层NAND闪存加持

数据中心数据闪存

美光科技（Micron）刚刚宣布，其正在向合作伙伴交付首款采用 176 层垂直 NAND 闪存的数据中心 SSD 样品，它就是支持 NVMe 协议的 7450 系列。可知其具有 ≤ 2ms 的服务质量（QoS）延迟、以及广泛的容量范围和外形尺寸，能够满足严苛的数据中心工作负载的需求。

/

/

2022.02.28 1:34

西数、铠侠工厂污染损失远超6.5EB 闪存最快4月份就要缺货

污染闪存工厂

前不久西数、铠侠位于日本的闪存工厂遭遇材料污染事故，导致大量闪存报废，之前的预估是6.5EB容量的闪存受影响，不过现在来看损失远超于此，闪存芯片最快4月份就要缺货了。

/

/

2022.02.27 4:17

西安三星半导体占全世界闪存芯片产能超过10%

三星芯片半导体闪存

《陕西日报》讯，随着三星（中国）半导体有限公司（西安三星半导体）12英寸闪存芯片二期项目建成投产，西安三星半导体闪存芯片产能占全球同类产品产能的比重超过10%。据该报介绍，西安三星半导体作为陕西目前最大的外商投资项目，从落户当地至今已实施两期项目建设。

/

/

2022.02.25 3:20

传美光、西部数据将NAND闪存价格提高 10%

2月25日，据台媒DIGITIMES报道，业内人士透露，美光和西部数据已经将其NAND闪存价格提高了约10%。这将引发现货和合约市场价格的上涨。

/

/

2022.02.15 2:46

工厂遭遇材料污染西数决定立即提高闪存产品价格

污染闪存工厂

前几天西数、铠侠位于日本的闪存工厂遭遇材料污染，导致大量闪存芯片受影响，这件事将改变近期的闪存市场趋势，西数已经确认此事会导致他们的成本显著增加，宣布闪存立即涨价。

/

/

2022.02.13 2:56

6.5EB闪存芯片被污染影响力持续扩大：多个大厂受波及

芯片污染闪存

在本周三，西数和铠侠宣布多达6.5EB的闪存芯片被污染。根西数和铠侠的报告，这两家工厂可能会造成多达16EB的闪存被浪费，影响到本季度闪存市场10%的份额。

/

/

2022.02.10 11:19

KIOXIA庆祝NAND闪存发明35周年

1990年代的MP3播放器和今天的智能手机有什么共同之处？如果没有NAND闪存，两者都不会存在，这项创新的影响在几十年间一直在人们的生活中游荡。KIOXIA美国公司今天宣布了一个新的里程碑--2022年是该公司发明NAND闪存的35周年。

/

/

2022.02.02 6:45

NAND闪存进入200层以上竞争三星西安工厂或成定价关键

三星闪存工厂

NAND闪存厂商都准备在2022年底到2023年期间推出200层以上的芯片产品，这是行业向更高密度的3D NAND闪存过渡的里程碑。据《电子时报》援引消息人士称，在这些供应商中，三星电子和美光科技可能是首批开始批量生产200层以上3D NAND闪存芯片的厂商。

/

/

2022.01.29 3:33

机构下调一季度NAND闪存价格下滑预期预计最高下跌13%

研究机构此前曾预计，在连续几个季度上涨之后，NAND闪存价格的上涨趋势，在去年四季度有可能终结，今年一季度则会下滑，预计环比下跌10%-15%。外媒的报道显示，在最新的报告中，预计NAND闪存价格一季度将下滑10%-15%的这一机构，已将下跌的幅度，下调到了8%—13%。

/

/

2022.01.28 6:14

美光证实年底关闭国内内存设计团队今后专注闪存技术

日前有消息称美光将关闭位于上海的DRAM内存设计团队，并给40多名核心技术人员提供移民美国的待遇，现在美光方面已经证实停止内存设计团队。据媒体报道，美光声明表示，将在未来一年内关闭公司上海设计中心的DRAM工程组，预计这项工作到2022年12月将会完成。

/

/

2022.01.19 1:52

Kioxia推出采用QLC的UFS Ver.3.1嵌入式闪存设备

利用创新的的每单元 4-bit QLC 技术，Kioxia 今天宣布推出 Universal Flash Storage (UFS) Ver. 3.1 [1]嵌入式闪存设备。对于需要高密度的应用，如尖端的智能手机，Kioxia 的 QLC 技术使其有能力在单个封装中实现最高密度。

/

/

2022.01.11 20:45

首发176层QLC闪存美光推出2400系列SSD：寿命比TLC短一半

继首发量产176层堆栈的TLC闪存之后，美光日前又首发了176层QLC闪存。其推出的2400系列SSD硬盘，用上了新一代闪存及PCIe 4.0。不过速度最高4500MB/s，2TB容量的TBW寿命为600TB，只有TLC闪存的一半。美光2400系列SSD虽然上了PCIe 4.0，但QLC闪存并不以性能见长，主要针对高性价比客户端应用，包括台式机及笔记本。

/

/

2022.01.03 5:24

在闪存市场价格下降的背景下三星年初逆势提高其SSD产品的价格

三星闪存市场

DigiTimes援引业内人士的话报道，三星正在考虑提高其自有品牌固态硬盘的价格。该报告没有为预期的价格上涨提供数字或百分比，但也指出，三星似乎正朝着与其他SSD供应商相反的方向发展。

/

/

2021.12.31 17:52

SK海力士完成英特尔Nand闪存业务第一阶段流程

韩国闪存 Intel

SK海力士30日表示，已完成了收购美国英特尔Nand闪存业务的第一阶段流程。　此前，SK海力士于22日获得中国当局为收购的反垄断审查批准后，当天又完成了收购英特尔主要资产的第一阶段流程。第一阶段收购对象是英特尔的Nand闪存基础数据存储装置（SSD）业务…

/

/

2021.12.29 19:26

良率已达99.999% 长江存储Xtacking闪存技术定名“晶栈”

昨晚的发布会上，长江存储旗下品牌致态推出了新一代旗舰级SSD硬盘TiPro7000系列，支持PCIe Gen4，最高读取速度7400MB/s，，基本贴着Gen4X4的带宽上限了，性能非常强大。

/

/

2021.12.29 19:25

SK海力士完成接管英特尔闪存业务及国内工厂

闪存工厂 Intel

前不久国内监管部门批准了SK海力士90亿美元收购Intel闪存业务的交易，至此双方的法律审核阶段已经完成，SK海力士正式接管Intel闪存业务及位于中国大连的闪存工厂，第一阶段将支付Intel公司70亿美元，约合446亿元。

/

/

2021.12.26 3:37

全球NAND闪存市场Q3排名三星电子/铠侠/SK海力士居前三

三星闪存市场排名

今年，全球NAND闪存企业之间的角逐战非常激烈。与DRAM市场三强格局不同，NAND闪存市场玩家较多。在这个市场，三星电子连续20年稳居第一，SK海力士也提高了占有率，紧随其后。曾经号令全球SSD（Solid-State Drive）市场的美国最大半导体企业英特尔为了专注于主力业务，将NAND事业部出售给了SK海力士，而中国大陆最大的存储器半导体企业长江存储也正在扩大产能以提高市场占有率。

/

/

2021.12.26 2:41

三星西安闪存制造工厂本周五已进入紧急运营状态

三星闪存工厂

根据国家卫健委通报，昨天（12月25日）本土新增新冠确诊病例158例，其中155例在西安。严峻的疫情形势，让三星西安闪存制造基地的运营状况备受关注，因为该基地是全球最大的闪存芯片制造基地，任何风吹草动都可能影响市场价格。

/

/

2021.12.23 19:58

T早报｜腾讯对京东持股下降至2.3%；海力士收购英特尔闪存业务获中国有条件批准；中国移动A股发行网上申购805倍

中国腾讯京东中国移动收购闪存 A股股票 Intel

推荐：王俊凯与英特尔解除合作关系；商汤港股IPO国际配售提前终止机构认购；江浙沪京粤等多地要求艺人、主播自查税务

/

/

2021.12.15 19:04

SSD闪存颗粒供过于求预计明年一季度价格下跌10%

就专业机构TrendForce集邦咨询的最新研究来看，明年上半年将迎来入手SSD的好时机。TF认为随着主要智能手机品牌厂商旺季备货告终、加上新年假期，2022年第一季度将迎来供过于求的局面，预计NAND Flash闪存价格下跌10~15%，这也可能是全年最大跌幅。

/

/

2021.11.29 4:19

Intel闪存渐行渐远 SK海力士明年冲击世界第二

全球NAND闪存主要控制在六大原厂中，三星第一，日本铠侠第二，Intel是其中最小的，但技术水平很高，所以仍然极具吸引力。只不过去年Intel宣布卖掉NAND闪存业务给SK海力士，这件事很快就会影响闪存格局。

/

/

2021.11.22 5:21

三星提升QLC闪存性能：写入可达320MB/s 重新超越机械硬盘

三星闪存硬盘

随着闪存的发展，如今廉价、大容量的SSD几乎都要上QLC闪存了，这让消费者很不爽，因为QLC闪存不仅可靠性差，而且性能也慢很多，没有缓存加速的时候，性能甚至跑不过HDD机械硬盘。QLC闪存性能差是先天性的，如果用光了缓存容量空间，现在的QLC闪存真实写入速度也就100MB/s，三星的870 QVO硬盘之前有人实测过，拷贝文件的速度也就160MB/s，这个速度甚至还不如一些HDD机械盘快。

/

/

2021.11.15 5:50

铭瑄发布首款电竞之心高端SSD：联芸主控＋长江闪存

这两年，国产化的SSD产品越来越丰富，从设计到性能也越来越高端化。今天，铭瑄正式发布了首款“电竞之心”系列的M.2 NVMe SSD，采用国产的旗舰级联芸主控方案、长江存储NAND闪存芯片，又向高端迈了一步。

/

/

2021.09.29 19:50

国产128层QLC闪存即将量产机构实测密度超过三星、美光

在3D闪存方面，国产公司已经大步追赶国际先进水平了，前不久江存储首席运营官程卫华透露，长江存储64层闪存颗粒出货超3亿颗，128层QLC已经准备量产，TLC良率做到相当水准。长江存储是国内唯一大规模量产了3D闪存的公司，2019 年初实现了32层3D NAND量产，其首创Xtacking技术，顺利研发出64层3DNAND，并于2019年9月量产256Gb（32GB）TLC 3DNAND。

/

/

2021.09.29 19:21

由于芯片短缺明年iPhone 14机型可能采用QLC NAND闪存

iPhone 芯片闪存

芯片短缺迫使苹果在今年 iPhone 13 系列的某些组件上做出妥协，预估 2022 年推出的 iPhone 14 也会遭遇相同的命运。根据一份新报告，苹果正在与 QLC NAND 闪存供应商合作，在明年的机型中使用 QLC。而 QLC 技术最大的问题就是寿命会比较短。

/

/

2021.09.14 4:53

长江存储：64层闪存颗粒出货超3亿颗，128层QLC准备量产

微网消息 9月14日，长江存储首席运营官程为华在2021中国闪存市场峰会上发表了主题为《创新协作共筑存储生态》的精彩演讲。他在演讲中提到，虽然全球智能手机出货量趋于稳定，但5G手机的市场渗透率却快速提升，由此也带动了嵌入式存储市场规模快速增长。

/

/

2021.09.13 19:13

2021未来科学大奖揭晓 86岁闪存核心发明者获奖

著名微电子专家施敏获得2021年未来科学大奖“数学与计算机科学奖”；上海交通大学物理与天文学院讲席教授、前校长张杰获“物质科学奖”；香港大学教授裴伟士（Joseph Peiris）和袁国勇共同获得“生命科学奖”

/

/

2021.09.10 5:45

三星970 EVO Plus固态盘主控、闪存换了官方确认：半导体缺货害的

三星半导体闪存

前不久，西数未通知消费者，对所出货SN550固态盘的闪存、固件做了变更，导致用户发现缓外写速最高能降一半。官方随后致歉并承诺会引入新产品编号，以示区分。其实，三星、美光也做了类似的事情。这不，三星发声明确认，为了应对半导体缺芯局面、保证产品的正常出货，对970 EVO Plus固态盘的主控、闪存等进行了“升级”，固件版本也变更为3B2QEXM7。

/

/

2021.09.01 12:13

西数重推闪存版20TB硬盘：MAMR技术跳票、100TB还得等

西数日前宣布了业内首款集成iNAND闪存芯片的20TB机械硬盘新品，采用了独家的OptiNAND架构技术。在HDD硬盘上增加NAND闪存很容易让人想起多年前西数/希捷推出的SSHD混合硬盘，然而西数称，OptiNAND并非混合架构硬盘，而是一种更创新的体系，此前的硬盘在紧急断电时DRAM里的缓存数据无法保存或最多2MB，而OptiNAND则提高50倍到100MB。